在每项人的神经系统浅处，都可以那段无法磨灭的记录英语，或欢愉乐趣，或悲哀哀愁。记录英语是大脑对经过过代挂网的背记、保持良好、出现或再认，它是做好思路、想象一下等中高级了解主题活动的框架。所以，记录英语贮存于什么地方？
在大脑面神经中，一 类面神经肿瘤神经元在大家型成印象的英文时被刺激启动，什么和什么被称为印象的英文的印刷痕迹肿瘤神经元（Engram cells）。很大研发已否认，印刷痕迹肿瘤神经元会有于海马、内嗅皮层等若干脑区中，当大家放置、分离出来印象的英文时，等肿瘤神经元会被刺激启动。
涉及到记录痕印的养成，Hebb有是这样其中一种假说，“Neurons that Fire Together, Wire Together…”，即的两个周围神经元一件蓄电池充电的那时候，孩子们中的突触相连接会开始搭建或资料。或许，前往的技术设备伎俩不能益处企业搜寻记录涉及到的突触地段，由于企业难于探索陪伴记录的养成，引发的变化的突触能否是记录涉及到的突触。
为实现上述构想，我们需要标记特定两个细胞之间的突触。过去的研究曾使用绿色荧光蛋白突触重构（Green Fluorescent Protein Reconstitution Across Synaptic Partners， GRASP）技术[1]。这项技术将绿色荧光蛋白的两个片段分别表达在突触前或突触后的膜表面，因此绿色荧光蛋白只表达在突触位置。那么，GRASP能否用于上述记忆存储的突触机制研究呢？
GRASP技术性
2017年4月27日，《Science》半月刊登载了意大利上海首尔国立大学专业Bong-Kiun Kaang教导的最新的更重要办公[2]，用户设计规划了突破版双GRASP技術（dual-eGRASP）。用户能够用到带着不同于荧光蛋白酶的AAV类病毒箭头印记血人体神经元核和非印记血人体神经元核，发掘遗忘出现后，海马CA3印记血人体神经元核到CA1印记血人体神经元核的突触联接偏态提高。
本篇工作首次区分标记突触前的印迹细胞与非印迹细胞，表明难忘记忆的形成并非因为招募了更多的印迹细胞，而是由印迹细胞之间的突触连接的强化所致。
Bong-Kiun Kaang院士
Result:
1、Dual-eGRASP技木识别分散化面神经元外壁各个来自的突触
关键在于，为达到dual-eGRASP标记图片图片，写我们在突触前展示黑紫色pre-eGRASP或黄颜色pre-eGRASP，两者自身不容易长出荧光，但如何两者与展示post-eGRASP的中枢中枢感觉神经元达成突触，则会展示出黑紫色或黄颜色荧光（图1A），以此要做出标记图片图片一样的的个中枢中枢感觉神经元上源各个的突触。为检验通过这一项科技水平，写我们在HEK293T细胞核（图1B-C）和內嗅皮层-海马DG区的径路（图1D-E）中測試，均成功的英文检验通过该类科技水平的工作效率。有意思的是，对CA1一般而言，同侧CA3与对侧CA3中枢中枢感觉神经元投屏到一样的区域环境，但是黑紫色、黄颜色荧光核蛋白展示在一样的地理位置（图1D-E）。
图1 Dual-eGRASP水平辨别同个中枢神经元各个来自的突触
2、记忆力形成了后CA3与CA1印痕内部互相的投到硬度更多
整合Fos-TRE控制操作系统[3]，作家的使用上述内容dual-eGRASP水平研究分析記憶内存的突触座位。他在对侧CA3针剂液体AAV-c-Fos-rtTA3G和AAV-TRE3G-金色的pre-eGRASP，这是由于就仅有被成功激活的中枢脑精神元会开机启动c-Fos电子器件，于是就仅有CA3印子内部（E）可表明金色的pre-eGRASP；他在同侧CA3中针剂液体极富AAV-Cre和更多AAV-DIO-青绿色pre-eGRASP，以重复数记号CA3中枢脑精神元，轴突未端表明青绿色不表明金色的荧光的即非印子内部（N）。又用Fos-TRE控制操作系统与粉色荧光淀粉酶记号同侧CA1印子内部（E），用极富AAV-Cre和更多AAV-DIO-粉色荧光淀粉酶重复数记号CA1中枢脑精神元，CA1粉色非粉色中枢脑精神元即非印子内部（N）（图2A-B）。
在探究，我们激动地知道，小鼠在应用场景具体条件绝望工作，，其CA3到CA1的E-E突触硬度更为显然多，树突棘总数量多，球体积较大。而N-N、E-N、N-E中间的突触无显然发展（图2C-E）。
图2 记忆英文构成后CA3印记内部映射到CA1印记内部的挠度最高
3、印痕癌细胞相互之间的突触无线连接硬度与记忆训练硬度呈正相关的
过去的研究表明，在不同的记忆强度之下，印迹细胞的数量维持不变。作者推测印迹细胞之间的突触连接强度可以编码记忆强度。为验证此推测，他们使用图2A相同的方法，标记CA1、CA3的印迹细胞（E）与非印迹细胞（N）。场景条件恐惧实验中，他们将小鼠分为3组，接受高强度足底电极、低强度足底电极或不接受足底电极，以代表3种记忆强度（图3A-B）。发现随着足底电极强度的提高，小鼠颤栗行为增加。此外，高强度足底电极条件下，E-E突触强度显著高于其他条件，而N-N、E-N、N-E之间的突触强度不受足底电极影响（图3C-F）。
图3 痕印受损细胞当中的突触进行连接抗压抗弯强度与记意抗压抗弯强度呈正涉及
4、记意养成后CA3与CA1印记细胞系当中的突触获取热效率挺高
在图2的结杲中，小说作品从基本特征学地方说透彻记忆的英文演变成后CA3与CA1印记血细胞中间的投屏程度会高，接下去来，小说作品使用的膜片钳电人体生理的方法逐渐骤确认此目的。
他选择Fos-rtTA机系统合作AAV-TRE3G-ChrimsonR病原体图标CA3印痕血组织細胞（E），用AAV-CaMKIIα-Chronos图标CA3整个激动性运动脑神经末梢元（T）。又用Fos-rtTA合作AAV-TRE3G-mEmerald病原体图标CA1印痕血组织細胞，并在游戏场景先决条件害怕现象科学实验后来，全血组织細胞记录时间小鼠CA1印痕血组织細胞（E）布尔代数印痕血组织細胞（N）。呈现ChrimsonR的运动脑神经末梢元可被黄光激发，呈现Chronos的运动脑神经末梢元可被蓝光激发（图4A-B）。
写作者发掘，画面要求感到恐惧举动實驗后，小鼠CA3印刷痕迹血细胞膜到CA1映射的PPR（Paired-pulse ratio，定性分析突触前囊泡产生的问题）降，E-E映射PPR降地最有效，意味着突触前产生水平的强化（图4C-E）。己经，孩子们实用Sr2 搭配单囊泡产生可能会导致建模 ，监测站亢奋性突触后瞬时电流（EPSC），发掘CA1印刷痕迹血细胞膜展开的EPSC降幅高，意味着突触后表示更多的的AMPA感觉（图4F-G）。标准化所诉两只最终，记忆能力的变成会改变了E-E相互的可塑型，即长时程强化（LTP）。
最后，作者在T-N、E-N、T-E、E-E之间诱导LTP，发现只有E-E之间的投射强度无变化，提示之前记忆的形成已经诱发E-E之间的LTP，因此投射强度无法进一步提高（图4H-I）。
图4 记忆的英文建立后CA3与CA1痕印体细胞之中的突触分享效应更快
总结：
印象力是脑的为重要高級自我意识作用，但更多印象力内存于什么方面组织系系、什么方面突触小编要了解有限，而该方面的处理是神经系统专业的管理处方面最为。这篇头次采取dual-eGRASP新科技，标上并探测印记组织系系和非印记组织系系突触的波动，提示信息印象力出现后印记组织系系与印记组织系系左右的突触衔接为显著改善。这篇很大程度上升高了小编在学习培训印象力业务领域的自我意识，仅仅科技会深入细致用心挖掘脑专业，带小编查回头脑难忘处的印象力！
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参考文献：
1.Cabantous, S., T.C. Terwilliger, and G.S. Waldo, Protein tagging and detection with engineered self-assembling fragments of green fluorescent protein. Nat Biotechnol, 2005. 23(1): p. 102-7.
2.Choi, J.-H., et al., Interregional synaptic maps among engram cells underlie memory formation. Science, 2018. 360(6387): p. 430-435.
3.Liu, X., et al., Optogenetic stimulation of a hippocampal engram activates fear memory recall. Nature, 2012. 484(7394): p. 381-5.
